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1N6000B

  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 封装：DO-35
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：单二极管/齐纳
  • PDF：1N6000B

1N6000B

  • 包装

    散装

  • 系列

    -

  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)

    10V

  • 容差

    ±5%

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 阻抗（最大值）(Zzt)

    15 欧姆

  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流

    100nA @ 8V

  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)

    1.2V @ 200mA

  • 工作温度

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    DO-204AH，DO-35，轴向

  • 产品简介说明

    DIODE ZENER 10V 500MW DO35

  • 产品描述备注

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