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MTZJT-779.1B

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：MSD
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：单二极管/齐纳
  • PDF：MTZJT-779.1B

MTZJT-779.1B

  • 包装

    带盒（TB）

  • 系列

    -

  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)

    9.1V

  • 容差

    ±3%

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 阻抗（最大值）(Zzt)

    20 欧姆

  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流

    500nA @ 6V

  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)

    -

  • 工作温度

    -

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    DO-204AG，DO-34，轴向

  • 产品简介说明

    DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

  • 产品描述备注

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