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RP1E125XNTR

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：MPT6
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：RP1E125XNTR

RP1E125XNTR

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    12.5A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    12 毫欧 @ 12.5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    12.7nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1000pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-SMD，扁平引线

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

  • 产品描述备注

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